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申请/专利权人：株式会社村田制作所
申请日：2020-03-16
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119324690A
专利技术分类：..具有单个谐振器（晶体调谐音叉入H03H9/21）[2006.01]
专利摘要：公开了声学谐振器器件和滤波器。一种声学谐振器器件，包括：一基板，具有一表面；一单晶压电板，具有正面和背面，所述背面附接到所述基板的表面上，除了一部分的压电板未附接到所述基板的表面上，其中这部分的压电板形成了隔膜，所述隔膜跨越所述基板中的腔。一叉指换能器IDT，在所述单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在所述隔膜上。所述压电板和IDT配置为使得施加到IDT的射频信号激励所述隔膜中的剪切主声模。一半λ介电层，在所述压电板的正面和背面中的其中一面上形成。
专利权项：1.一种声学谐振器器件，包括：基板；压电板，直接或通过一个或多个中间层附接到所述基板；叉指换能器，在所述压电板上，使得所述叉指换能器的交错指状物设置在所述压电板上；以及介电层，在所述压电板上；其中，所述压电板的厚度ts和所述介电层的厚度td定义如下：2ts＝λ0,s，和0.85λ0,d≤2td≤1.15λ0,d，其中，λ0,s是所述压电板中体声波谐振的波长。
百度查询： 株式会社村田制作所 带有半λ介电层的横向激励的薄膜体声学谐振器
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