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申请/专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日：2024-12-20
公开（公告）日：2025-01-21
公开（公告）号：CN119340781A
专利技术分类：....热管理装置[2006.01]
专利摘要：本发明提供一种半导体封装结构及封装方法，半导体封装结构包括：第一热沉；巴条；第二热沉，第二热沉包括：绝缘导热层；第一导电层和第二导电层；第一焊接层；第一绝缘层；第一电极片；第二绝缘层；第二电极片。所述半导体封装结构的可靠性提高。
专利权项：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：第一热沉；巴条，位于所述第一热沉的部分区域的一侧；第二热沉，位于所述第一热沉和所述巴条之间，所述第二热沉包括：绝缘导热层，所述绝缘导热层的导热系数大于所述巴条的导热系数，所述绝缘导热层的热膨胀系数小于所述巴条的热膨胀系数；第一导电层和第二导电层，所述第一导电层位于所述绝缘导热层在其厚度方向的一侧表面，所述第二导电层位于所述绝缘导热层在其厚度方向的另一侧表面；第一焊接层，位于所述巴条和所述第二热沉之间且与所述巴条和所述第二热沉接触，所述第一焊接层的材料为硬焊料；第一绝缘层，位于所述第一热沉的部分区域的一侧且位于所述第二热沉的侧部；第一电极片，位于所述第一绝缘层背离所述第一热沉的一侧且与所述巴条朝向的第一热沉的一侧表面电连接；第二绝缘层，位于所述第一电极片背离所述第一绝缘层的一侧；第二电极片，位于所述第二绝缘层背离所述第一电极片的一侧且延伸至所述巴条背离所述第二热沉的一侧表面。
百度查询： 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 半导体封装结构及封装方法
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