龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
申请日：2023-07-18
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119364837A
专利技术分类：
专利摘要：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及但不限于半导体技术；半导体器件包括：设置在衬底一侧的沟道，设置在所述沟道远离所述衬底一侧的界面层，设置在所述界面层远离所述衬底一侧的第一栅介质层，所述沟道的材料包括硅锗化合物，所述界面层的材料至少包括氧化硅，所述界面层由所述沟道的表面氧化生长而成，与所述沟道连接为一体；从而保证界面层质量，降低界面态密度。
专利权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：设置在衬底一侧的沟道，设置在所述沟道远离所述衬底一侧的界面层，设置在所述界面层远离所述衬底一侧的第一栅介质层，所述沟道的材料包括硅锗化合物，所述界面层的材料至少包括氧化硅，所述界面层由所述沟道的表面氧化生长而成，与所述沟道连接为一体。
百度查询： 北京超弦存储器研究院 半导体器件及其制造方法、电子设备
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号