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申请/专利权人：大连理工大学
申请日：2024-12-26
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119352146A
专利技术分类：.外延层生长[2006.01]
专利摘要：本发明公开了一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用，方法包括：将钛酸锶衬底放置在分子束外延生长设备的腔体中，在超真空条件下对其进行除气和高温退火，直至钛酸锶衬底表面出现规则台阶；以铬源和锑源为蒸发源，采用分子束外延生长技术在预处理后的衬底上生长铬锑磁性薄膜。本发明制得的薄膜具有极其显著的磁各向异性，其易磁化轴沿面外方向，且在面内与面外方向的磁化强度差异明显；此外，薄膜具有铁磁性，并且随着温度的升高，矫顽场逐渐减小；此外，薄膜还具有稳定的磁学性质，表现出居里温度高于室温的特性。同时制备方法具备精确控制薄膜层数和高质量生长的优势，为新一代半导体器件的开发提供了理想的磁性薄膜材料。
专利权项：1.一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将钛酸锶衬底清洗后放置在分子束外延生长设备的腔体中，在超真空条件下对所述钛酸锶衬底进行除气和高温退火，直至所述钛酸锶衬底表面出现宽度为50nm~200nm的台阶，得到预处理后的衬底；（2）以铬源和锑源为蒸发源，采用分子束外延生长技术在所述预处理后的衬底上生长铬锑磁性薄膜，其中，铬源的蒸发温度为1200℃～1300℃，锑源的蒸发温度为380℃～420℃，所述预处理后的衬底的温度保持在300℃～360℃，生长速率为0.034层min~0.04层min，生长时间为25min~30min，单原胞厚度为0.8nm；所述铬锑磁性薄膜具有六角晶格结构。
百度查询： 大连理工大学 一种高质量单原胞厚度铬锑磁性薄膜的制备方法与应用
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