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申请/专利权人：江西师范大学
申请日：2024-12-26
公开（公告）日：2025-01-24
公开（公告）号：CN119349655A
专利技术分类：.氧化物；氢氧化物[2006.01]
专利摘要：本发明属于纳米材料异质结技术领域，具体涉及NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列及其制备方法和室温气体传感器。其包括衬底以及原位生长在衬底表面的NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列；NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列由NiO多孔纳米片、Ag纳米颗粒和ZnIn2S4纳米片构成，其中NiO纳米片为垂直交错生长的阵列结构，Ag纳米颗粒均匀的分散在NiO多孔纳米片表面，ZnIn2S4纳米片包裹住NiO多孔纳米片。本发明的制备过程简单，成本低，NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列具有良好的异质界面接触，Ag纳米颗粒的存在促进了NiO与ZnIn2S4之间的电子转移，ZnIn2S4的包裹增加了材料的比表面积。NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列可以应用在室温气体传感器中，具体在白光激发下三乙胺的室温高选择性检测。
专利权项：1.一种NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列，其特征在于，包括衬底以及原位生长在所述衬底表面的NiOAgZnIn2S4异质结纳米片阵列，所述NiOAgZnIn2S4异质结阵列由NiO多孔纳米片、Ag纳米颗粒和ZnIn2S4纳米片构成；其中，所述NiO多孔纳米片为垂直交错生长的阵列结构，所述Ag纳米颗粒均匀的分散在所述NiO多孔纳米片表面，所述ZnIn2S4包裹住所述NiO多孔纳米片。
百度查询： 江西师范大学 NiO/Ag/ZnIn2S4异质结纳米片阵列及其制备方法和室温气体传感器
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