龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：芯恩(青岛)集成电路有限公司
申请日：2023-07-24
公开（公告）日：2025-01-28
公开（公告）号：CN119381244A
专利技术分类：.半导体器件或其部件的制造或处理[2006.01]
专利摘要：本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体制造技术领域，该方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有多晶硅结构和位于所述多晶硅结构两侧的侧壁结构；在多晶硅结构和侧壁结构上形成材料为氮氧化硅的阻挡层，所述阻挡层覆盖多晶硅结构和所述侧壁结构，通过依次进行干法蚀刻和湿法蚀刻，去除所述多晶硅结构顶部的阻挡层，形成暴露所述多晶硅结构顶部的窗口，所述窗口的开口宽度小于或等于所述多晶硅结构的宽度；在所述窗口上形成自对准硅化物，所述自对准硅化物覆盖露出的所述多晶硅结构。该方法可以利用氮氧化硅材料的阻挡层保护氧化层，使得侧壁免于受到湿法蚀刻制程的蚀刻，避免造成鸟喙缺损。
专利权项：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成有多晶硅结构和位于所述多晶硅结构两侧的侧壁结构；在所述多晶硅结构和侧壁结构上形成阻挡层，所述阻挡层覆盖所述多晶硅结构和所述侧壁结构，所述阻挡层的材料为氮氧化硅；依次进行干法蚀刻和湿法蚀刻，去除所述多晶硅结构顶部的阻挡层，形成暴露所述多晶硅结构顶部的窗口；所述窗口的开口宽度小于或等于所述多晶硅结构的宽度；在所述窗口上形成自对准硅化物，所述自对准硅化物覆盖露出的所述多晶硅结构。
百度查询： 芯恩(青岛)集成电路有限公司 一种半导体器件及其制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号