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龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972142B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110809628.6，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权半导体装置的制造方法是由中田洋辅设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：本发明的目的是提供能够在具备半导体元件的结构中抑制静电破坏的半导体装置的制造方法，半导体元件具有感测单元部。本发明涉及的半导体装置的制造方法具有以下工序：a将各半导体元件1及中继基板2接合于导体板3之上；b通过导线17将各半导体元件的各信号焊盘与中继基板的各控制焊盘连接；c将第1电极材料18接合于各半导体元件之上；d将具有短接部21的第2电极材料19接合于中继基板之上，短接部将各控制焊盘短接；e通过封装树脂23将导体板、各半导体元件、中继基板、第1电极材料及第2电极材料进行封装；以及f对封装树脂进行磨削而将短接部去除，使第2电极材料的一部分露出。

本发明授权半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有：多个半导体元件，它们包含具有主单元部和至少1个感测单元部并设置有与所述主单元部以及所述感测单元部各自对应的多个信号焊盘的半导体元件；以及中继基板，其设置有多个控制焊盘，该半导体装置的制造方法具有以下工序：工序a，将各所述半导体元件以及所述中继基板接合于导体板之上；工序b，通过导线将各所述半导体元件的各所述信号焊盘与所述中继基板的各所述控制焊盘进行连接；工序c，将第1电极材料接合于各所述半导体元件之上；工序d，将具有短接部的第2电极材料接合于所述中继基板之上，该短接部将各所述控制焊盘短接；工序e，通过树脂将所述导体板、各所述半导体元件、所述中继基板、所述第1电极材料以及所述第2电极材料进行封装；以及工序f，对所述树脂进行磨削而将所述短接部去除，使所述第2电极材料的一部分露出。

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