买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜英诺赛科(珠海)科技有限公司申请的专利氮化镓HEMT的封装结构及封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112768427B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911071736.7，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权氮化镓HEMT的封装结构及封装方法是由莫锦添;邹艳波;盛健健;姚卫刚设计研发完成，并于2019-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本氮化镓HEMT的封装结构及封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化镓HEMT的封装结构及封装方法，待封装氮化镓HEMT芯片的栅极位于源极和漏极之间，设置第二导电焊盘、第三导电焊盘以及基盘引脚区位于芯片靠近源极的一侧，第一导电焊盘位于芯片靠近漏极的另一侧，通过第一电连接部件电连接漏极和第一导电焊盘，通过第二电连接部件电连接源极和基盘引脚区，通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，通过第三电连接部件电连接栅极与第三导电焊盘，可以使得芯片各电极之间满足耐压距离；通过第四电连接部件电连接源极和第二导电焊盘，形成开尔文源极，以减小驱动回路的寄生电感；待封装氮化镓HEMT芯片固定且电连接在散热区，提高了封装结构的散热性能。

本发明授权氮化镓HEMT的封装结构及封装方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓HEMT的封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：待封装氮化镓HEMT芯片，所述待封装氮化镓HEMT芯片的正面具有栅极、源极以及漏极；所述栅极位于所述源极以及所述漏极之间；导电基盘，所述导电基盘具有用于固定所述待封装氮化镓HEMT芯片的散热区和基盘引脚区；引线框架，所述引线框架上设置有第一导电焊盘、第二导电焊盘以及第三导电焊盘；所述导电基盘与所述引线框架相对固定；其中，所述第一导电焊盘位于所述待封装氮化镓HEMT芯片具有所述漏极的一侧，所述第二导电焊盘以及所述第三导电焊盘位于所述待封装氮化镓HEMT芯片具有所述源极的一侧；所述待封装氮化镓HEMT芯片的背面与所述散热区固定且电连接；所述漏极通过第一电连接部件与所述第一导电焊盘电连接，所述源极通过第二电连接部件与所述基盘引脚区电连接，所述栅极通过第三电连接部件与所述第三导电焊盘电连接，且所述源极还通过第四电连接部件与所述第二导电焊盘电连接；所述基盘引脚区、所述第一导电焊盘、所述第二导电焊盘以及所述第三导电焊盘均包括焊接区以及和所述焊接区一体的引脚；其中，所述第一导电焊盘、所述第二导电焊盘以及所述第三导电焊盘的焊接区和所述引脚连接处均具有弯折部，使得所述焊接区高于所述引脚；所述第一导电焊盘通过至少一根所述第一电连接部件与所述漏极电连接；所述第一导电焊盘包括：漏极焊接区以及和所述漏极焊接区一体的至少一个漏极引脚；其中，所述漏极焊接区通过所述第一电连接部件与所述漏极电连接；所述基盘引脚区通过至少一根所述第二电连接部件与所述源极电连接，所述第二导电焊盘通过一根所述第四电连接部件与所述源极电连接；所述基盘引脚区包括：源极焊接区以及和所述源极焊接区一体的至少一个源极引脚；其中，所述源极焊接区通过所述第二电连接部件与所述源极电连接；所述第二导电焊盘包括：开尔文源极焊接区和一个开尔文源极；其中，所述开尔文源极焊接区通过所述第四电连接部件与所述源极电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人英诺赛科(珠海)科技有限公司，其通讯地址为：519080 广东省珠海市高新区金园二路39号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。