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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809014B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110476823.1，技术领域涉及：H01L21/8238；该发明授权半导体器件及其形成方法是由杨松鑫;郑宗期;萧茹雄设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括提供工件，工件包括：位于该工件的第一区域中的第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；位于该工件的第二区域中的第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件；位于第一伪栅极堆叠件、第二伪栅极堆叠件、第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件中的每一个的上方的硬掩模层。方法还包括：在工件上方沉积光刻胶PR层，以在第一区域上方形成第一PR层部分，并且在第二区域上方形成第二PR层部分；以及选择性地在第三伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第一开口，并且在第四伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第二开口。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供工件，包含：第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件，设置在所述工件的第一区域中，第一源极漏极部件，设置在所述第一伪栅极堆叠件与所述第二伪栅极堆叠件之间，第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件，设置在所述工件的第二区域中，第二源极漏极部件，设置在所述第三伪栅极堆叠件与所述第四伪栅极堆叠件之间，硬掩模层，设置在所述第一伪栅极堆叠件、所述第二伪栅极堆叠件、所述第三伪栅极堆叠件和所述第四伪栅极堆叠件中的每一个的上方；在所述工件上方沉积光刻胶层，以在所述第一区域上方形成第一光刻胶层部分，并且在所述第二区域上方形成第二光刻胶层部分；以及选择性地在所述第三伪栅极堆叠件上方形成穿过所述第二光刻胶层部分的第一开口，并且在所述第四伪栅极堆叠件上方形成穿过所述第二光刻胶层部分的第二开口，其中，所述第一伪栅极堆叠件、所述第二伪栅极堆叠件、所述第三伪栅极堆叠件和所述第四伪栅极堆叠件包括多晶硅，所述第三伪栅极堆叠件的栅极长度大于所述第一伪栅极堆叠件的栅极长度，其中，所述第一光刻胶层部分包含第一厚度，且所述第二光刻胶层部分包含大于所述第一厚度的第二厚度。

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