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龙图腾网恭喜北京京东方传感技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利一种平板探测器像素结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540141B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110820201.6，技术领域涉及：H01L27/146；该发明授权一种平板探测器像素结构及其制作方法是由王振宇;周琳;丁志设计研发完成，并于2021-07-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种平板探测器像素结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了本发明实施例提供的一种平板探测器像素结构，包括：PIN膜层；底电极层，设置在PIN膜层的一侧；隔离结构，设置PIN膜层上远离底电极层的一侧；顶电极层，设置在隔离结构上远离PIN膜层的一侧，且顶电极层的中部与PIN膜层连接；顶电极层的边缘在PIN膜层上的正投影被隔离结构覆盖。本发明中的隔离结构可将顶电极层的边缘与PIN膜层的边缘和侧壁进行隔离和绝缘，可有效的消除顶电极层对PIN膜层侧壁的放电作用；并且，当负偏压增加时，隔离结构可以有效防止电流直接富集在顶电极层金属边缘时出现放电现象，有效减少了PIN膜层侧壁漏流，使得平板探测器像素能够稳定的工作在较高负偏压条件下。

本发明授权一种平板探测器像素结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种平板探测器像素结构，其特征在于，包括：PIN膜层；底电极层，设置在所述PIN膜层的一侧；隔离结构，设置所述PIN膜层上远离所述底电极层的一侧；顶电极层，设置在所述隔离结构上远离所述PIN膜层的一侧，且所述顶电极层的中部与所述PIN膜层连接；所述顶电极层的边缘在所述PIN膜层上的正投影被所述隔离结构覆盖；所述隔离结构包括第一隔离部和第二隔离部；所述第一隔离部中部设置有镂空结构；所述顶电极层的中部经过所述镂空结构与所述PIN膜层连接。

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