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龙图腾网恭喜中晶新源(上海)半导体有限公司申请的专利一种半导体功率器件封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221947157U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420990780.8，技术领域涉及：H01L25/07；该实用新型一种半导体功率器件封装结构是由刘科科;钟义栋;董云设计研发完成，并于2024-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件封装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件封装结构，包括封装体、内部电连接结构、若干基板、若干芯片及若干引脚，所述内部电连接结构、基板、芯片及引脚封装于封装体内，所述基板的一侧外露于封装体外，所述引脚的至少一端延伸至封装体外，所述内部电连接结构用于将第一芯片的源极与第三芯片的漏极电连接，用于将第二芯片的源极与第四芯片的漏极电连接，用于将第三芯片和第四芯片的源极与GND引脚电连接。相比传统封装，本发明将四个芯片集成在一个封装体内，大大提升了产品的高密度，并且在封装体内部实现了芯片间的内部连接，减少了由于外部走线产生的寄生电感。

本实用新型一种半导体功率器件封装结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件封装结构，其特征在于，包括封装体、内部电连接结构、若干基板、若干芯片及若干引脚，所述内部电连接结构、基板、芯片及引脚封装于封装体内，所述基板的一侧外露于封装体外，所述引脚的至少一端延伸至封装体外；所述基板包括第一基板、第二基板、第三基板，所述芯片包括第一芯片、第二芯片、第三芯片、第四芯片；所述第一芯片和第二芯片设置在第一基板上，所述第一芯片和第二芯片的漏极通过第一基板电连接；所述第二基板和第三基板并排设置，所述第三芯片和第四芯片分别设置在第二基板和第三基板上，所述第三芯片和第四芯片的漏极分别与第二基板和第三基板电连接；所述内部电连接结构用于将第一芯片的源极与第三芯片的漏极电连接，用于将第二芯片的源极与第四芯片的漏极电连接，用于将第三芯片和第四芯片的源极与GND引脚电连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中晶新源(上海)半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区海洋一路333号1号楼、2号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。