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龙图腾网恭喜西安电子科技大学芜湖研究院申请的专利一种浮结型肖特基势垒二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110323283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910458067.2，技术领域涉及：H01L29/872；该发明授权一种浮结型肖特基势垒二极管及其制作方法是由宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;吴勇;何艳静;韩超;梁家铖设计研发完成，并于2019-05-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种浮结型肖特基势垒二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种浮结型肖特基势垒二极管，包括：衬底层1；外延层2，位于所述衬底层1上层；浮结层4，位于所述外延层2上层的两侧；绝缘型多晶硅层5，位于所述浮结层4上层；沟槽6，位于所述绝缘型多晶硅层5上层；肖特基接触阴极7，位于所述衬底层1下层；肖特基接触阳极8，覆盖所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6。本发明提出的二极管，通过改善浮结型肖特基势垒二极管的工艺步骤，不需要二次生长外延层，增大了器件击穿电压，减小了导通电阻，提升了功率优值，降低了工艺难度和成本。

本发明授权一种浮结型肖特基势垒二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浮结型肖特基势垒二极管的制作方法，其特征在于，包括：S1、选取衬底层1；S2、在所述衬底层1上层形成外延层2；S3、在所述外延层2上层形成SiO2隔离层3；S4、刻蚀所述SiO2隔离层3和所述外延层2形成刻蚀窗口；以光刻胶作为掩膜，对SiO2隔离层3进行选择性刻蚀，形成刻蚀窗口，再按照刻蚀窗口对刻蚀窗口以外的外延层2进行部分刻蚀；S5、在所述刻蚀窗口以外的外延层2上层淀积金属形成浮结层4；所述浮结层4材料为金属Ti，厚度为0.5μm～2μm；采用磁控溅射法在刻蚀窗口以外的外延层2上淀积一层金属Ti，采用化学刻蚀将多余的金属Ti去除，形成浮结层4；S6、在所述浮结层4上层淀积形成绝缘型多晶硅层5；刻蚀所述SiO2隔离层3和所述外延层2，使所述外延层2和所述绝缘型多晶硅层5处于同一平面；S7、刻蚀所述绝缘型多晶硅层5形成沟槽6；所述沟槽6的横截面积小于所述绝缘型多晶硅层5的横截面积；S8、在所述衬底层1下层形成欧姆接触阴极7；S9、在所述外延层2、所述绝缘型多晶硅层5和所述沟槽6上层形成肖基特接触阳极8。

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