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龙图腾网恭喜无锡德力芯半导体科技有限公司申请的专利一种栅极结构及IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110444592B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910864082.7，技术领域涉及：H01L29/423；该发明授权一种栅极结构及IGBT器件是由李学会;黄昌民设计研发完成，并于2019-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种栅极结构及IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种栅极结构，具有多晶硅条，多晶硅条中部为主栅区，主栅区至少一端连接有电阻区，电阻区的宽度小于主栅区的宽度；所述主栅区和电阻区组成的整体结构的两端上方的介质层中加工有接触孔，接触孔中填充有金属。本发明的栅极结构主栅区两端的电阻区的宽度比主栅区宽度小，电阻区的电阻很大，相当于在主栅区两端串联了一个电阻，而且本发明栅极结构的主栅区、电阻区、接触区和过渡区，可以通过一次光刻以及刻蚀工艺制作完成，无需增加额外的制造成本。相比现有技术，本发明无需在IGBT或者VDMOS器件外部串联一个专用的电阻，可以降低电器设备的成本，同时有利于设备的小型化。

本发明授权一种栅极结构及IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种栅极结构，其特征在于：具有多晶硅条，多晶硅条中部为主栅区（11），主栅区（11）至少一端连接有电阻区（12），电阻区（12）的宽度小于主栅区（11）的宽度；所述主栅区（11）和电阻区（12）组成的多晶硅条的两端上方的介质层中加工有接触孔，接触孔中填充有金属；使用所述栅极结构的IGBT器件两侧的多晶硅条的主栅区（11）逐渐变短，所有多晶硅条的主栅区（11）连接的电阻区（12）的长度相同；所述电阻区（12）的一端连接主栅区（11），另一端连接接触区（13）。

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