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龙图腾网恭喜正泰新能科技股份有限公司申请的专利一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113948607B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110988456.3，技术领域涉及：H01L31/18；该发明授权一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用是由胡党平;赵文祥;赵迎财;廖晖;马玉超;王义福;单伟;何胜;徐伟智;黄海燕设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明涉及N型晶硅电池技术领域，公开了一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。本发明的选择性扩散方法采用非晶硅层作为掩膜，能防止形成的掺杂层中硼浓度不可控，有利于提高N型晶硅电池的开路电压、短路电流和填充因子。

本发明授权一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种用于制备N型选择性发射极晶硅电池的选择性扩散方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在制绒后的硅片正面进行低浓度硼扩散，形成轻掺杂层；所述低浓度硼扩散的扩散方阻为140~200ohmsq，表面浓度为1.0e19~1.5e19atomscm3，结深为0.3~0.6μm；（2）在轻掺杂层上沉积非晶硅，形成非晶硅层；（3）对非晶硅层进行激光开槽，以去除金属接触区域的非晶硅；（4）在去除非晶硅后的金属接触区域进行高浓度硼扩散，形成重掺杂层；所述高浓度硼扩散的扩散方阻为60~100ohmsq，表面浓度为2.0e19~3.0e19atomscm3，结深为0.6~1.0μm；（5）清洗，以去除非金属区域的非晶硅。

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