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龙图腾网恭喜西安立芯光电科技有限公司申请的专利一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111582516.8，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构是由任占强;王琛琛;李青民;李波;徐斌;孟锡俊;仇伯仓;李会利;杜美本;杨欢设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，主要解决现有多波长激光器光路复杂、结构复杂以及成本较高的问题。该外延结构包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层。

本发明授权一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构在权利要求书中公布了：1.一种用于多波长边发射半导体激光器的外延结构，其特征在于：包括由下至上依次设置的N型衬底、出射波长为λ1的量子阱单元、第一陷阱隧道结、出射波长为λ2的量子阱单元、第二陷阱隧道结、出射波长为λ3的量子阱单元和P型接触层；出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元通过第一陷阱隧道结串联，第一陷阱隧道结用于调制出射波长为λ1的量子阱单元、出射波长为λ2的量子阱单元激射的光场；出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元通过第二陷阱隧道结串联，第二陷阱隧道结用于调制出射波长为λ2的量子阱单元、出射波长为λ3的量子阱单元激射的光场；所述第一陷阱隧道结和第二陷阱隧道结均包括由下至上依次设置的P型陷阱层、P型重掺杂层、N型重掺杂层和N型陷阱层；其中N型陷阱层和N型重掺杂层共同作用，将位于其上方紧邻的量子阱单元激射出的高阶模限制在N型陷阱层中，同时与P型重掺杂层作用，形成隧穿效应；P型重掺杂层与P型陷阱层共同作用，将位于其下方紧邻的量子阱单元激射出的高阶模限制在P型陷阱层中，同时与N型重掺杂层作用，形成隧穿效应，连接上下两个相邻的量子阱单元。

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