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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113832452B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110895353.2，技术领域涉及：C23C16/458；该发明授权晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性是由克洛伊·巴尔达赛罗尼;艾德蒙·B·明歇尔;弗兰克·L·帕斯夸里;尚卡·斯瓦米纳森;拉梅什·钱德拉赛卡兰设计研发完成，并于2017-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性在说明书摘要公布了：本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被配置为在膜沉积期间最小化晶片滑移的支撑构件上。诸如用于原子层沉积的处理室之类的多站处理室可以包括在每个站处的无卡盘基座，该每个站具有被配置为防止晶片移动离开中心超过400微米的晶片支撑件。为了最小化晶片下方的气垫，晶片支撑件可以在晶片的背面和基座的面向晶片的表面之间提供至少2密耳的间隙。

本发明授权晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性在权利要求书中公布了：1.一种在晶片上沉积膜期间减少晶片滑移的方法，所述方法包括：将所述晶片支撑在升降销或承载环上，使得所述晶片位于处理室中的无卡盘基座的面向晶片的表面上的晶片支撑件上方，在所述晶片的外边缘和基座槽的壁之间具有间隙；在将所述晶片支撑在所述升降销或承载环上、所述晶片在所述晶片支撑件上方的同时，将所述处理室抽空至减小的压强，所述减小的压强低于0.5托；降低所述升降销或承载环，使得所述晶片在所述处理室处于所述减小的压强下时降低到所述晶片支撑件上，并且将所述晶片支撑在所述无卡盘基座的所述面向晶片的表面的上方足够的距离处以减少在所述晶片上沉积膜期间在所述基座槽中的横向滑移；在所述晶片支撑在所述晶片支撑件上时，在所述晶片上沉积膜，其中在沉积所述膜之后，偏离中心的所述晶片从其初始位置滑移小于400微米。

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