恭喜台湾积体电路制造股份有限公司林佳桦获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113130814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010805569.0，技术领域涉及：H10K50/856；该发明授权半导体结构是由林佳桦;张耀文;吴启明;蔡正原;逸群·陈;蔡子中设计研发完成，并于2020-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及一种半导体结构。所述半导体结构包含金属化结构、多个导电垫及电介质层。所述多个导电垫在所述金属化结构上方。所述电介质层在所述金属化结构上且覆盖所述导电垫。所述电介质层包含第一电介质膜、第二电介质膜及第三电介质膜。所述第一电介质膜在所述导电垫上。所述第二电介质膜在所述第一电介质膜上。所述第三电介质膜在所述第二电介质膜上。所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种反射结构，其包括：金属基底，其具有第一表面；电介质层，其在所述第一表面上，所述电介质层包括：第一电介质膜，其在所述第一表面上；第二电介质膜，其在所述第一电介质膜上；及第三电介质膜，其在所述第二电介质膜上；电连接，其穿透所述电介质层，并与导电垫接触；及导电氧化物层，其在所述电介质层上方，并与所述电连接接触；其中所述第一电介质膜的折射率小于所述第二电介质膜的折射率，且所述第二电介质膜的所述折射率小于所述第三电介质膜的折射率。
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