恭喜北京大学贺明获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种基于光电导自调制的动态识别与预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119486343B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510027778.X，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种基于光电导自调制的动态识别与预测方法是由贺明;刘硕;刘鋆灵;许蕾;黄如设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于光电导自调制的动态识别与预测方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于光电导自调制的动态识别与预测方法，属于智能识别技术领域。本发明通过在高迁移率层状二维半导体铋氧硒中引入硒空位缺陷，使其与导电沟道铋氧层分离，实现了离子性缺陷自调制沟道电子传输的自调制光电探测器；利用该自调制光电探测器组成的器件阵列作为前端信号处理硬件，对不断变化的外界图像信息进行连续采样和记录，同时通过软件层面的神经网络进行后端的动态识别和预测。本发明利用感存算一体结构在信息传入端完成对信号的预处理，大大降低硬件神经网络的功耗开销；结合后续网络算法，实现了小面积低成本的硬件层面的移动识别与预测。
本发明授权一种基于光电导自调制的动态识别与预测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于光电导自调制的动态识别与预测方法，其特征在于，利用自调制光电探测器组成的器件阵列作为前端信号处理硬件，对不断变化的外界图像信息进行连续采样和记录，通过软件层面的神经网络进行后端的动态识别和预测；其中，所述自调制光电探测器包括衬底和栅介质层，以及位于栅介质层上的层状二维铋氧硒沟道层，沟道层的两端为源漏电极；所述层状二维铋氧硒沟道层的下部为具有硒空位的界面缺陷层，上部为沟道传输层；所述自调制光电探测器的界面缺陷层是具有硒空位的1~2层二维铋氧硒，其中硒空位缺陷浓度为4.2×1012cm2~1.6×1013cm2；所述沟道传输层的厚度为8nm~12nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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