恭喜北京大学贺明获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421512B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510020263.7，技术领域涉及：H10F30/282；该发明授权基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用是由贺明;朱玉;郭欣蕊;刘硕;刘鋆灵;黄如设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用。本发明浮栅晶体管包括背栅衬底、范德华异质结沟道层以及该沟道层两侧的源、漏电极，所述背栅衬底为表面覆盖用于非易失光存储的氧化铪氧化铝氧化铪（HfO2Al2O3HfO2）的重掺杂硅，所述范德华异质结沟道层由用于传感的铋氧硒‑硒化钯纳米片组成。本发明浮栅晶体管同时具备对紫外‑近红外宽光谱的快速响应与光的非易失存储能力，可以有效提高光电探测器的敏感光谱响应范围和响应度，从而实现对动态目标光信号在空间域和时间域上的器件内整合。
本发明授权基于范德华异质结的超快运动感知浮栅晶体管及其应用在权利要求书中公布了：1.一种异质结浮栅晶体管，其特征在于，包括背栅衬底、范德华异质结沟道层以及该沟道层两侧的源、漏电极，所述背栅衬底包括从下而上依次叠加的重掺杂硅、第一氧化铪层、氧化铝层和第二氧化铪层，所述范德华异质结沟道层为从下而上叠加的铋氧硒纳米片和硒化钯纳米片，所述源、漏电极分别由TiAu金属叠层组成，所述第一氧化铪层厚度在20-50nm范围内，所述氧化铝层厚度在5-10nm范围内，所述第二氧化铪层厚度在5-10nm范围内，所述铋氧硒纳米片厚度在5-20nm范围内，所述硒化钯纳米片厚度在5-20nm范围内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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