恭喜湖南大学彭英舟获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利一种变流器级功率半导体器件老化分离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119310430B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411876407.0，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种变流器级功率半导体器件老化分离方法是由彭英舟;王开春;曹一明;彭星冉;帅智康设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种变流器级功率半导体器件老化分离方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种变流器级功率半导体器件老化分离方法。获取变流器级功率半导体器件的I‑V特性曲线与反并联的续流二极管的I‑V特性曲线相加后得到的二次I‑V特性曲线；确定二次I‑V特性曲线上交点和除交点之外的任意一点；在变流器级功率半导体器件正常工作时，测量交点处的导通压降和任意一点的导通压降；在变流器级功率半导体器件老化时，测量交点处的导通压降和任意一点的导通压降；根据4个导通压降，确定键合线脱落导致的增量和焊料层老化导致的增量，以此分离键合线脱落和焊料层老化两种老化模型。本发明方案在变流器层面，实现对各类型功率器件老化模式的分离，打破现有方法中都是组件级、只能在单个功率器件上实现的局限性。
本发明授权一种变流器级功率半导体器件老化分离方法在权利要求书中公布了：1.一种变流器级功率半导体器件老化分离方法，其特征在于，所述方法包括：获取变流器级功率半导体器件的I-V特性曲线与反并联的续流二极管的I-V特性曲线相加后得到的二次I-V特性曲线；确定所述二次I-V特性曲线上交点和除所述交点之外的任意一点；在所述变流器级功率半导体器件正常工作时，测量所述交点处的第一导通压降和所述任意一点的第二导通压降；在所述变流器级功率半导体器件老化时，测量所述交点处的第三导通压降和所述任意一点的第四导通压降；根据所述第一导通压降、所述第二导通压降、所述第三导通压降和所述第四导通压降，确定键合线脱落导致的增量和焊料层老化导致的增量，以此分离键合线脱落和焊料层老化两种老化模型。
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