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龙图腾网恭喜杰平方半导体(上海)有限公司申请的专利碳化硅功率半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411729951.2，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权碳化硅功率半导体器件及其形成方法是由吴健设计研发完成，并于2024-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅功率半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅功率半导体器件及其形成方法，碳化硅功率半导体器件包括形成于器件层中的至少两个源漏区，相邻的两个源漏区之间的器件层中形成有接触区，且源漏区靠近接触区的一侧壁呈台阶状，所述器件层上形成有介质层，所述介质层中具有一开口；第一欧姆接触层，第一欧姆接触层覆盖开口的底部的部分接触区；第二欧姆接触层，第二欧姆接触层填满接触孔，并覆盖第一欧姆接触层、源漏区靠近接触区的侧壁和部分顶表面。由于源漏区靠近接触区的一侧壁呈台阶状，同时开口中的第二侧墙层的底部与源漏区的顶表面之间具有接触孔，由此增加了第二欧姆接触层与源漏区之间的接触面积，从而可以降低第二欧姆接触层与源漏区之间的接触电阻。

本发明授权碳化硅功率半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有器件层，所述器件层中形成有体区和至少两个源漏区，所述源漏区形成于所述体区内，同一所述体区内相邻的两个所述源漏区之间的所述器件层中形成有接触区，所述接触区的顶表面低于所述源漏区的顶表面，且所述源漏区靠近所述接触区的一侧壁呈台阶状，所述器件层上形成有介质层，所述介质层中具有一开口，所述开口暴露出所述接触区及所述源漏区靠近所述接触区的部分侧壁和部分顶表面；第一侧墙层，所述第一侧墙层覆盖所述开口的侧壁；第二侧墙层，所述第二侧墙层覆盖部分所述第一侧墙层，且所述第二侧墙层的底部与所述源漏区的顶表面之间具有接触孔，所述接触孔与所述开口连通并暴露出部分所述源漏区的顶表面；第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层覆盖所述开口的底部的部分所述接触区；第二欧姆接触层，所述第二欧姆接触层填满所述接触孔，并覆盖所述第一欧姆接触层、所述源漏区靠近所述接触区的侧壁以及暴露出的顶表面。

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