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龙图腾网恭喜南京大学申请的专利一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411689923.2，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法是由庄喆;桑艺萌;陶涛;刘斌设计研发完成，并于2024-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于Micro‑LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法，混合驱动集成器件包括单片集成结构和nT1C显示驱动电路，nT1C显示驱动电路通过键合金属与单片集成结构相连；单片集成结构依次包括GaN缓冲层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层远离GaN缓冲层的表面间隔设置p‑GaN帽层和n‑GaN欧姆接触电极，p‑GaN帽层远离AlGaN势垒层的表面设置隧道结，隧道结的表面设置n‑GaN电子注入层和n‑GaN欧姆接触电极，n‑GaN电子注入层表面依次设置量子阱层、p‑GaN空穴注入层、p‑GaN欧姆接触电极。本发明可降低能耗，提高电路安全性；提升显示分辨率；兼容现有工艺线。

本发明授权一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于Micro-LED显示的混合驱动集成器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在衬底（4）上依次外延生长GaN缓冲层（11）、AlGaN势垒层（12）、p-GaN帽层（13）、隧道结（15）、n-GaN电子注入层（16）、量子阱层（17）、p-GaN空穴注入层（18）；步骤二，通过电感耦合等离子体刻蚀法，定义Micro-LED发光区域，非发光区域刻蚀至隧道结（15），接着定义HEMT栅极区域，将除Micro-LED、HEMT栅极区域外的其他区域刻蚀至AlGaN势垒层（12），蒸镀n-GaN欧姆接触电极（14），在p-GaN空穴注入层（18）表面蒸镀p-GaN欧姆接触电极（19）；步骤三，定义单片集成结构（1）的面积，通过ICP法将刻蚀单片集成结构（1）外的部分刻蚀至衬底（4），得到分离的器件；步骤四，制备nT1C显示驱动电路（2）；步骤五，通过巨量转移法将分离的器件与nT1C显示驱动电路（2）通过键合金属（3）键合，并去除衬底（4），得到混合驱动集成器件；所述混合驱动集成器件包括单片集成结构（1）和nT1C显示驱动电路（2），所述nT1C显示驱动电路（2）通过键合金属（3）与单片集成结构（1）相连；所述单片集成结构（1）依次包括GaN缓冲层（11）、AlGaN势垒层（12），所述AlGaN势垒层（12）远离GaN缓冲层（11）的表面间隔设置p-GaN帽层（13）和n-GaN欧姆接触电极（14），所述p-GaN帽层（13）远离AlGaN势垒层（12）的表面设置隧道结（15），所述隧道结（15）的表面设置n-GaN电子注入层（16）和n-GaN欧姆接触电极（14），至少一个n-GaN欧姆接触电极（14）延伸至p-GaN帽层（13）、隧道结（15）侧面并与AlGaN势垒层（12）相连，所述n-GaN电子注入层（16）表面依次设置量子阱层（17）、p-GaN空穴注入层（18）、p-GaN欧姆接触电极（19）；所述隧道结（15）依次包括p+-GaN隧穿层（151）、InGaN辅助隧穿层（152）、n+-GaN隧穿层（153）和n-GaN扩展层（154），所述p+-GaN隧穿层（151）与p-GaN帽层（13）相连。

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