南京大学周峰获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208373B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411676742.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法是由周峰;舒崇瑞;陆海;徐尉宗;周东;任芳芳设计研发完成，并于2024-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。该增强型GaN晶体管包括自下而上设置的衬底层、氮化镓层和势垒层，所述势垒层上方设置有呈条状分布的p‑GaN层，所述p‑GaN层上方设置有栅极金属层，所述p‑GaN层的两侧平行间隔设置有源极和漏极，所述p‑GaN层靠近所述源极的一侧平行间隔设置有欧姆金属层，所述欧姆金属层与所述p‑GaN层之间填充有绝缘介质层。能够解决现有技术中氮化镓功率二极管因辐照后发生空穴积聚而导致的抗辐照能力差、器件阈值电压不稳定的技术问题。
本发明授权一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种辐照下维持阈值电压稳定的增强型GaN晶体管，其特征在于，包括自下而上设置的衬底层1、氮化镓层2和势垒层3，所述势垒层3上方设置有呈条状分布的p-GaN层4，所述p-GaN层4上方设置有栅极金属层5，所述p-GaN层4的两侧平行间隔设置有源极6和漏极7，所述p-GaN层4靠近所述源极6的一侧平行间隔设置有欧姆金属层8，所述欧姆金属层8与所述p-GaN层4之间填充有绝缘介质层9，所述欧姆金属层8包括多个第一欧姆金属层81和多个第二欧姆金属层82，所述多个第一欧姆金属层81沿所述p-GaN层4的延伸方向间隔布置，相邻两个所述第一欧姆金属层81之间均通过一个所述第二欧姆金属层82连接，在所述p-GaN层4的延伸方向上，所述第二欧姆金属层82的宽度与高度均小于所述第一欧姆金属层81。
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