恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133254B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411639283.4，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及其制备方法是由王文智设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本说明书实施方式提供了一种半导体结构及其制备方法，所述半导体结构包括：基底；所述基底包括衬底和栅极结构；所述衬底形成有阱区、源漏区和轻掺杂区；其中，所述阱区包括沟道区域；所述栅极结构设置于所述沟道区域的表面；所述轻掺杂区位于所述源漏区与所述沟道区域之间；接触结构；所述接触结构设置在所述源漏区的表面；其中，所述接触结构与所述栅极结构之间形成位于所述轻掺杂区上的空气间隙。如此，可以通过空气间隙向轻掺杂区补注离子，以弥补制备过程中对于轻掺杂区离子的损耗。
本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；所述基底包括衬底和栅极结构；所述衬底形成有阱区、源漏区和轻掺杂区；其中，所述阱区包括沟道区域；所述栅极结构设置于所述沟道区域的表面；所述轻掺杂区位于所述源漏区与所述沟道区域之间；接触结构；所述接触结构设置在所述源漏区的表面；所述接触结构包括金属接触部和接触衔接部；所述接触衔接部包括形成于所述源漏区表面的底部衔接层，以及位于所述底部衔接层两侧边缘的衔接侧墙；其中，所述底部衔接层与所述衔接侧墙形成接触窗口；所述金属接触部形成于所述接触窗口内；其中，所述接触结构与所述栅极结构之间形成位于所述轻掺杂区上的空气间隙；所述空气间隙用于向所述轻掺杂区补充注入离子。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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