恭喜上海三菲半导体有限公司杨军获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海三菲半导体有限公司申请的专利一种具有脊波导的激光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108896B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411579670.3，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有脊波导的激光二极管是由杨军设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有脊波导的激光二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有脊波导的激光二极管，包括基材衬底、设置在基材衬底上方的脊波导层、设置在脊波导上方的金属导电层，脊波导层与基材衬底之间设置有抗导层，通过在脊波导层底部引入一个抗导层，该层的折射率与量子阱区域类似，可以对光模形成进一步的约束，增加了光模的有效折射率，并拓展了脊波导结构底部的最小尺寸，防止基础光模在此区域失去束缚，使得光模体积更小，这有利于进一步提升器件的性能。
本发明授权一种具有脊波导的激光二极管在权利要求书中公布了：1.一种具有脊波导的激光二极管，其特征在于，包括基材衬底、设置在基材衬底上方的脊波导层、设置在脊波导层上方的金属导电层，所述脊波导层与基材衬底之间设置有抗导层，所述抗导层厚度为90-110nm，所述抗导层材料为AlInGaAs材料或InAlAsP材料或五元系材料；所述脊波导层包括从下到上依次叠加的下包覆层、抗导层、量子阱层、半导体隔离层、光栅层、半导体上包覆层和半导体覆盖层，所述半导体上包覆层掺杂材类型与下包覆层相反，所述半导体覆盖层掺杂类型与半导体上包覆层相同；所述脊波导层为鸽尾形脊波导，所述基材衬底为n－型或p-型掺杂的半导体基底层，所述基材衬底掺杂类型与脊波导层的下包覆层相同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海三菲半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区临港新片区沧海路2828号11-2厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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