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龙图腾网恭喜天津赛米卡尔科技有限公司申请的专利一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118801218B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410925276.4，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法，结构包括衬底、缓冲层、氮化物外延DBR、N‑型半导体传输层，N‑型半导体传输层的上部设置有多量子阱层，曝露的N‑型半导体传输层上部设置有铁电材料、N‑型欧姆电极，铁电材料的上部设置有铁电材料电极，多量子阱层的上部依次设置有P‑型电流阻挡层、P‑型半导体传输层，P‑型半导体传输层上表面设置有电流限制孔结构层，电流扩展层覆盖在P‑型半导体传输层和电流限制孔结构层之上；电流扩展层的上侧设置有介质DBR和P‑型欧姆电极；本申请可以增强VCSEL电流控制能力，有效地防止器件的反向漏电与抑制有源区漏电水平，改善器件的可靠性和稳定性。

本发明授权一种具有双栅控制的半导体激光器结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有双栅控制的半导体激光器结构，该半导体激光器沿着外延生长方向依次包括衬底101、缓冲层102、氮化物外延DBR103、N-型半导体传输层104，其特征在于，所述N-型半导体传输层104的上部设置有多量子阱层107，曝露的N-型半导体传输层104上部设置有铁电材料106、N-型欧姆电极114，所述铁电材料106的上部设置有铁电材料电极115，所述多量子阱层107的上部依次设置有P-型电流阻挡层108、P-型半导体传输层109，所述P-型半导体传输层109上表面设置有电流限制孔结构层110，电流扩展层111覆盖在P-型半导体传输层109和电流限制孔结构层110之上；所述电流扩展层111的上侧设置有介质DBR112和P-型欧姆电极113，介质DBR112的投影面积小于电流扩展层111的面积。

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