台湾积体电路制造股份有限公司陈韦廷获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222690681U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420941861.9，技术领域涉及：H01L23/538；该实用新型封装结构是由陈韦廷;蔡仲豪;余振华;王垂堂设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本封装结构在说明书摘要公布了：一种封装结构，包含第一芯片结构及互连结构，互连结构位于第一芯片结构的上方。封装结构也包含介电接合结构及金属接合结构，介电接合结构位于互连结构的上方，金属接合结构被介电接合结构侧向围绕。金属接合结构的顶表面与介电接合结构的顶表面实质上共平面。封装结构还包含导电通孔，导电通孔与金属接合结构连接并被介电接合结构侧向围绕。此外，封装结构包含第二芯片结构，与介电接合结构及金属接合结构直接接合。封装结构也包含电容器元件，电容器元件位于导电通孔旁并被介电接合结构侧向围绕。
本实用新型封装结构在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，具有电容器的集成芯片，其特征在于，所述封装结构包括：第一芯片结构，其中所述第一芯片结构具有：第一金属接合结构；第一导电通孔，其中所述第一导电通孔与第一金属接合结构直接接触；及第一介电层，侧向围绕所述第一金属接合结构与所述第一导电通孔，其中所述第一介电层的表面与所述第一金属接合结构的表面实质上共平面；第二芯片结构，位于所述第一芯片结构的上方，其中所述第二芯片结构具有：第二金属接合结构，其中所述第二金属接合结构与所述第一金属接合结构直接接触；第二导电通孔，其中所述第二导电通孔与所述第二金属接合结构直接接触；及第二介电层，侧向围绕所述第二金属接合结构与第二导电通孔，其中所述第二介电层的表面与所述第二金属接合结构的表面实质上共平面，且所述第二介电层与所述第一介电层直接接触；以及电容器元件，位于所述第一金属接合结构与所述第一导电通孔的底表面之间。
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