台湾积体电路制造股份有限公司苏瑞雯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222690680U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420869109.8，技术领域涉及：H01L23/522；该实用新型半导体装置是由苏瑞雯;曾世华;吕志弘;巫柏奇设计研发完成，并于2024-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种半导体装置，为了减少蚀刻开口中的应力集中区的发生率，沉积了更薄的聚酰亚胺层以最小化其中所形成的间隙，并增加显示层的表面的角度。以这种方式减小应力，降低了后来形成的金属接触开裂的发生率，提高了如此制造的半导体装置的整体合格率。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一第一保护层，设置于一金属接触的上方；一金属重分布层，设置于该第一保护层的一部分的上方；一第二保护层，设置于该金属重分布层的一部分的上方，且该第二保护层具有一第一开口；以及一聚酰亚胺层，设置于该第二保护层的上方，且该聚酰亚胺层具有一第二开口；其中，在该第一开口处的该第二保护层的一垂直截面具有一内底角介于75度至85度之间，在该第二开口处的该聚酰亚胺层的一垂直截面具有一顶角和一底角，该顶角介于160度至170度之间，以及该底角介于75至85度之间。
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