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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118522712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410341183.7，技术领域涉及：H01L23/485；该发明授权芯片及其制备方法是由东芳;潘丹;王诗兆;吕婷;欧阳宇航;刘胜;陈志文设计研发完成，并于2024-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技技术领域，提供了一种芯片及其制备方法，其中，芯片包括基板、多个绝缘层以及多个再布线层；多个绝缘层敷设在基板上，多个绝缘层依次叠设，每个绝缘层上设有多个凹槽、多个限位腔体和多个微铜柱；多个凹槽设于绝缘层远离基板的一侧；每个限位腔体位于凹槽靠近基板的一侧，且与凹槽连通；多个微铜柱与多个凹槽一一对应设置，每个微铜柱填充在对应的凹槽和对应的限位腔体内；多个再布线层与多个绝缘层一一对应设置，每个再布线层设于绝缘层远离基板的一侧，且与凹槽上的多个微铜柱连接，限位腔体对微铜柱起到了进一步限位的作用，加固了微铜柱，微铜柱又与再布线层连接，提高了再布线层与绝缘层之间的连接强度。

本发明授权芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括基板1、多个绝缘层2以及多个再布线层3；多个绝缘层2，敷设在所述基板1上，所述多个绝缘层2依次叠设，每个绝缘层2上设有多个凹槽21、多个限位腔体22和多个微铜柱23；多个凹槽21，设于所述绝缘层2远离所述基板1的一侧；多个限位腔体22，与所述多个凹槽21一一对应设置，每个限位腔体22位于所述凹槽21靠近所述基板1的一侧，且与所述凹槽21连通，所述凹槽21靠近所述限位腔体22的端部沿所述绝缘层2厚度方向的投影位于所述限位腔体22内；多个微铜柱23，与所述多个凹槽21一一对应设置，每个微铜柱23通过所述凹槽21伸入所述限位腔体22内，所述微铜柱23填充在对应的凹槽21和对应的限位腔体22内；多个再布线层3，与所述多个绝缘层2一一对应设置，每个再布线层3设于所述绝缘层2远离所述基板1的一侧，且与所述凹槽21上的所述多个微铜柱23连；所述限位腔体22沿所述绝缘层2厚度方向的深度为所述再布线层3厚度的1-1.5倍；和或，所述再布线层3包括金属线，所述限位腔体22为漏斗状，所述限位腔体22的直径是所述金属线宽度的0.5-1倍。

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