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龙图腾网恭喜西北核技术研究所;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116613199B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310805013.5，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法是由马武英;王志宽;欧阳晓平;税国华;何宝平;缑石龙设计研发完成，并于2023-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管，包括依次相接的多晶硅热栅、基区、外延层、埋层、衬底，以及电极。多晶硅热栅为带开口的圆环形，位于基区中心，发射极电极位于多晶硅热栅圆环中心。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管制备方法，包括多晶硅热栅版图设计，按多晶硅热栅版图设计进行加工，制作基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管过程。还涉及一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管的修复方法，包括缺陷表征，求取修复电压，实施修复的过程。本发明设置多晶硅热栅电极，实现辐射环境中电离辐射感生缺陷的实时修复，对电离辐射感生缺陷的分离，提升了横向PNP晶体管的抗总剂量能力。

本发明授权一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管及其修复方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多晶硅热栅的横向PNP晶体管，包括基区14、发射极电极2；其特征在于，还包括设置在基区14内且位于发射极电极2和集电极电极3之间的多晶硅热栅4；所述多晶硅热栅4为带开口的环形，开口端设置多晶硅热栅正电极PA、多晶硅热栅负电极PC；所述发射极电极2位于多晶硅热栅4内；还包括依次相接的多晶硅热栅4、基区14、外延层10、埋层7、衬底8，以及电极；埋层7为圆板形，圆板面分别与外延层10、衬底8相接；在埋层7外区域，外延层10与衬底8相接；所述电极包括基极电极1、发射极电极2、集电极电极3、p型掺杂发射极5、p型掺杂集电极6、n型掺杂基极9、多晶硅热栅正电极PA12、多晶硅热栅负电极PC13；所述发射极电极2通过发射极电极引出线11引出；所述基极电极1、所述发射极电极引出线11、所述集电极电极3、多晶硅热栅正电极PA12、多晶硅热栅负电极PC13为外接电极；所述基极电极1穿过基区14，与外延层10内的n型掺杂基极9相接；所述发射极电极2穿过基区14，与外延层10内的p型掺杂集电极5相接；所述集电极电极3穿过基区14，与外延层10内的p型掺杂发射极6相接；所述p型掺杂发射极5、所述p型掺杂集电极6、所述n型掺杂基极9均与基区14相接，所述n型掺杂基极9与所述埋层7相接；所述多晶硅热栅4为带开口的圆环形，开口端设置多晶硅热栅正电极PA、多晶硅热栅负电极PC，多晶硅热栅4位于基区14中心；所述发射极电极2位于多晶硅热栅4圆环中心。

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