株式会社国际电气中谷公彦获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114026678B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097324.2，技术领域涉及：H01L21/31；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质是由中谷公彦设计研发完成，并于2019-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在说明书摘要公布了：本发明包括将包含下述a～d的循环进行规定次数以对在衬底的表面形成的凹部内进行填埋的方式形成膜的工序，a向处理室内的衬底供给假催化剂的工序；b将残留在处理室内的假催化剂排出的工序；c向处理室内的衬底供给原料的工序；和d将残留在处理室内的原料排出的工序，在a中，在假催化剂向上述衬底表面的化学吸附成为不饱和的条件下，使假催化剂吸附于衬底的表面。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理方法、衬底处理装置及记录介质在权利要求书中公布了：1.半导体器件的制造方法，其包括将包含下述a～d的循环进行规定次数，以对在衬底的表面形成的凹部内进行填埋的方式形成膜的工序， a向处理室内的所述衬底供给假催化剂的工序； b将残留在所述处理室内的所述假催化剂排出的工序； c向所述处理室内的所述衬底供给原料的工序；和 d将残留在所述处理室内的所述原料排出的工序， 在a中，在所述假催化剂向所述衬底的表面的化学吸附成为不饱和的条件下，使所述假催化剂吸附于所述衬底的表面， 其中，在使所述假催化剂的物理吸附成分存在于所述凹部的上部及下部这两者的条件下进行a， 在使所述假催化剂在所述凹部的上部上的物理吸附成分中的至少一部分脱离、并且使所述假催化剂在所述凹部的下部上的物理吸附成分中的至少一部分残留的条件下进行b。
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