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龙图腾网恭喜日产化学株式会社申请的专利半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116507683B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280007459.7，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物是由柳生雅文;奥野贵久;新城彻也设计研发完成，并于2022-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物在说明书摘要公布了：本发明提供半导体基板的清洗方法、包括这样的清洗方法的经加工的半导体基板的制造方法以及用于这样的清洗方法的组合物，所述半导体基板的清洗方法能通过简便的操作从其表面具有使用例如硅氧烷系粘接剂得到的粘接层的半导体基板上在更短时间内且更干净地去除清洗该粘接层。一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，其包括使用剥离和溶解用组合物来剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：[I]成分：季铵盐、[II]成分：酰胺系溶剂、以及[III]成分：下述式L所示的溶剂。式中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S。L1‑L3‑L2L

本发明授权半导体基板的清洗方法、经加工的半导体基板的制造方法以及剥离和溶解用组合物在权利要求书中公布了：1.一种半导体基板的清洗方法，其特征在于，包括使用剥离和溶解用组合物来膨润、剥离并溶解半导体基板上的粘接层的工序，所述剥离和溶解用组合物包含：I成分：季铵盐、II成分：酰胺系溶剂、III成分：下述式L所示的溶剂、以及IV成分：下述式T或下述式G所示的溶剂，所述季铵盐为含卤素季铵盐，所述酰胺系溶剂为下述式Z所示的酸酰胺衍生物、或下述式Y所示的化合物，所述剥离和溶解用组合物中，非质子性溶剂100质量％中的所述II成分的酰胺系溶剂的含量为20～50质量％，L1-L3-L2L式L中，L1和L2各自独立地表示碳原子数2～5的烷基，L3表示O或S， 式T中，X1和X3各自独立地表示烷基、或酰基X4－C＝O－，X2表示亚烷基，n表示2或3，X4表示烷基， 式G中，L11和L12各自独立地表示碳原子数1～6的烷基，L11的烷基的碳原子数与L12的烷基的碳原子数的合计为7以下， 式Z中，R0表示乙基、丙基或异丙基，RA和RB各自独立地表示碳原子数1～4的烷基， 式Y中，R101表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，R102表示碳原子数1～6的亚烷基或下述式Y1所示的基团， 式Y1中，R103表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，R104表示碳原子数1～5的亚烷基，＊1表示与式Y中的碳原子键合的键合键，＊2表示与式Y中的氮原子键合的键合键。

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