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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构和半导体结构的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117650132B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210957711.2，技术领域涉及：H01L25/065；该发明授权半导体结构和半导体结构的制造方法是由庄凌艺;吕开敏设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构和半导体结构的制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构和半导体结构的制造方法，半导体结构包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板上；所述存储模块包括沿第一方向堆叠的存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层包括相连的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层所在的平面垂直于所述基板的上表面；所述第二布线层位于所述存储芯片远离所述基板的表面；引线，与所述第二布线层相连；引线框架，与所述引线和所述供电端口相连。本公开实施例至少可以提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构和半导体结构的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基板，所述基板具有供电端口；存储模块，位于所述基板上；所述存储模块包括沿第一方向堆叠的多个存储芯片，所述第一方向平行于所述基板的上表面；每个所述存储芯片内具有供电信号线，多个所述存储芯片中的至少一者具有供电布线层，所述供电信号线与所述供电布线层电连接；所述供电布线层包括相连的第一布线层和第二布线层，所述第一布线层所在的平面垂直于所述基板的上表面；所述第二布线层位于所述存储芯片远离所述基板的表面；引线，与所述第二布线层相连；引线框架，与所述引线和所述供电端口相连；还包括：逻辑芯片，位于所述基板的上表面与所述存储模块之间；所述逻辑芯片内具有第一无线通信部；所述存储芯片内具有第二无线通信部；所述第二无线通信部与所述第一无线通信部进行无线通信。

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