恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司申请的专利倒装发光二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975724B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210626480.7，技术领域涉及：H10H20/841；该发明授权倒装发光二极管及其制备方法是由郭茂峰;高默然;郑锦坚;毕京锋;沈侠强;金全鑫;王思琦设计研发完成，并于2022-06-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本倒装发光二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种倒装发光二极管及其制备方法，利用ODR反射层的金属反射层和绝缘反射层与外延层构成MIS电容结构，令第二电极连接相对较高的电位，第三电极连接相对较低的电位，使得外延层中的发光层发光，同时，令第一电极连接相对较高的电位，令第三电极连接相对较低的电位，使得电子从外延层的第一半导体层向发光层聚集，空穴从外延层的第二半导体层向发光层中聚集，提高了空穴注入效率，增加发光层中的辐射复合效率，在不降低辐射复合发光的透射效率的同时提高了光电转化效率，且成本低；本发明仅对现有的倒装发光二极管稍加改进，不会显著增加结构和制备工艺的复杂程度。
本发明授权倒装发光二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管，其特征在于，包括：衬底；外延层，位于所述衬底上，包括由下至上依次设置的第一半导体层、发光层及第二半导体层；ODR反射层，包括依次堆叠在所述外延层上的绝缘反射层和金属反射层，所述金属反射层、所述绝缘反射层及所述外延层构成MIS电容结构；以及，彼此绝缘的第一电极、第二电极及第三电极，分别与所述金属反射层、所述第二半导体层及所述第一半导体层电性连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限公司;杭州士兰集成电路有限公司，其通讯地址为：361026 福建省厦门市海沧区兰英路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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