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龙图腾网恭喜南开大学申请的专利一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114744116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210417751.8，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法是由徐文涛;屈尚达;孙林设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明为一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法。该器件的组成是在衬底上分布有纳米线阵列，阵列两端分别分布有源极和漏极，源极、漏极之间有离子胶为栅极；制备方法首先利用电流体打印机制备ITO纳米线，将其作为突触器件的沟道材料；然后在经过高温退火的ITO纳米线上蒸镀金属电极作为源极和漏极，最后利用离子胶作为栅极制得三端人工突触器件。本发明工艺简单、操作简便、成本低廉、节能环保、适宜大规模生产，为神经形态计算领域的材料选择和器件设计提供了有益的指导。

本发明授权一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件，其特征为该器件的组成为：衬底表面分布有纳米线阵列，纳米线阵列两端表面各分布有一个金属电极，两个金属电极之间的纳米线阵列上，贴合有离子胶层；所述的纳米线阵列的材质为ITO，纳米导线的直径为100～6000nm，长度为0.01～20cm，纳米线之间的间距为10～2000μm；所述的衬底为SiSiO2、Al2O3或玻璃；所述金属电极中的金属为金、银、铝或钛金；金属电极的厚度为60～200nm；所述的离子胶为壳聚糖、PVA或PVDF-HFP[EMIM][TFSI]，厚度为0.05～500μm；所述的基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件的制备方法，该方法包括如下步骤：1将衬底依次用去离子水、异丙醇、丙酮和无水乙醇超声清洗，然后用氮气将其表面吹干；2将聚乙烯吡咯烷酮、硝酸铟水合物及氯化亚锡二水合物加入到混合溶剂中，在20～70℃下磁力搅拌0.5～24小时，得到前驱体溶液；其中，混合溶剂的组成为N，N-二甲基甲酰胺和无水乙醇，质量比N，N-二甲基甲酰胺：无水乙醇＝1～20：1；质量比聚乙烯吡咯烷酮：硝酸铟水合物＝1：1～4，氯化亚锡二水合物：硝酸铟水合物＝1：1～20；前驱体溶液中聚乙烯吡咯烷酮的质量浓度为5％～20％；3利用电流体打印机，将步骤2中配置的前驱体溶液打印为ITO纳米线；4将步骤3中打印的ITO纳米线在空气中进行退火，待温度降至室温后取出，得到ITO纳米线；5利用掩模板，在步骤4中获得的ITO纳米线两端表面蒸镀金属电极，作为源极和漏极；6利用离子胶作为栅极，贴在步骤5中得到的样品的源极和漏极之间的纳米线上，得到基于数码可控打印ITO纳米线的三端人工突触器件；骤3中利用电流体打印机进行打印时，在注射器针头上施加0.5～3kV的高电压，将注射器针头到基板的距离设置为0.5～8mm，注射器的出液流量设置为1～250nLmin，基板的移动速度设置为50～1000mms；步骤4中所述的退火条件为：将打印所得的纳米线在空气中300～700℃温度条件下退火30～240min。

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