恭喜厦门吉顺芯微电子有限公司曲亮获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门吉顺芯微电子有限公司申请的专利一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114284145B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111489479.6，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法是由曲亮设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法。在原有Trench肖特基生产基础上增加一步新的流程，解决接触孔层沾污对势垒的影响，有效提高期间可靠性。
本发明授权一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高Trench肖特基抗沾污能力的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、按照Trench肖特基工艺流程生产，当流片到接触孔刻蚀后，芯片表面会有沾污；步骤S2、芯片继续流片，当芯片完成势垒去除后，在芯片表面淀积一层绝缘介质层，将沾污覆盖；步骤S3、淀积完成后，使用干法刻蚀对介质层进行回刻，使用干法刻蚀的终点检测，在刻蚀到硅表面后停止刻蚀，此时由于干法刻蚀特性，会在沾污周围形成绝缘介质Spacer；步骤S4、绝缘介质Spacer会将沾污边缘不完全的势垒区域覆盖，然后再制作正面金属，由于势垒缺陷区域和正面金属之间被绝缘介质Spacer隔离，反向工作时在势垒缺陷区域就不会形成过电流导致器件烧毁，从而提高的Trench肖特基二极管的可靠性；沾污位于接触孔上方或接触孔附近的硅上方，势垒形成于无沾污区域以及沾污区域边缘的硅和接触孔上方，绝缘介质Spacer形成于沾污区域边缘的硅和接触孔上方对应的势垒上方。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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