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龙图腾网恭喜物元半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种硅基电容元件的结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113571500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110809139.0，技术领域涉及：H01L23/64；该发明授权一种硅基电容元件的结构是由王旭东;司鹏设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅基电容元件的结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种硅基电容元件的结构，包括硅片和以所述硅片作为衬底排布于所述硅片表面上的多个电容单元；其中：所述电容单元包括一个或多个电容器，所述电容器包括多个电极、且在多个电极中至少有一个第一电极和第二电极；每个所述电容器的第二电极与所述硅片衬底不连接或者至少一个所述电容器的第二电极与所述硅片衬底连接。本申请通过在一张硅片上制作多个相互绝缘的个电容单元，不仅实现了多端子电容的多电位，而且用户可以根据各种应用场景需求任意裁剪需要的电容单元，灵活性更好。

本发明授权一种硅基电容元件的结构在权利要求书中公布了：1.一种硅基电容元件的结构，其特征在于，包括硅片和以所述硅片作为衬底排布于所述硅片表面上的多个电容单元；其中：所述电容单元包括一个或多个电容器，所述电容器包括多个电极、且在多个电极中至少有一个第一电极和第二电极；每个所述电容器的第二电极与所述硅片衬底不连接或者至少一个所述电容器的第二电极与所述硅片衬底连接，其中，所述电容器包括一个或多个以所述硅片作为衬底的电容结构；所述电容结构包括设置在所述硅片上且沿垂直于所述硅片表面延伸的深沟槽、导体层、N个第一极板、N个第二极板、第一电介质层、第二电介质层以及第三电介质层；第一电极及第二电极均位于所述深沟槽外；N个所述第一极板和N个所述第二极板交错叠加，并在所述第一极板与所述第二极板之间设置所述第二电介质层形成极板结构；在所述极板结构的所述第一极板所在面叠加所述第一电介质层形成所述电容结构的第一结构；所述第一结构设置于所述深沟槽内，所述深沟槽内其余空间填充所述导体层；在所述深沟槽槽口的所述第一结构和所述导体层上覆盖所述第三电介质层，并通过所述第一电介质层和所述第三电介质层使所述导体层与所述第一极板和所述第二极板绝缘；所述第一极板连接所述电容器的第一电极，所述第二极板连接所述电容器的第二电极；所述第二电极与所述导体层连接或不连接。

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