恭喜格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司P·波拉科夫斯基获国家专利权
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龙图腾网恭喜格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司申请的专利基于铁电的晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113809084B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110666459.5，技术领域涉及：H10B53/30；该发明授权基于铁电的晶体管是由P·波拉科夫斯基;K·赛德尔;T·阿里设计研发完成，并于2021-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于铁电的晶体管在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体结构，更具体地，涉及基于铁电的晶体管以及制造方法。基于铁电的晶体管包括：绝缘体上半导体衬底，其包括半导体材料、位于半导体材料下方的掩埋绝缘体层、以及位于半导体沟道材料下方的衬底材料；铁电电容器，其位于掩埋绝缘体层下方并包括底部电极、顶部电极和位于底部电极与顶部电极之间的铁电材料；栅极堆叠，其位于半导体材料之上；第一端子接触，其连接到铁电电容器的底部电极；以及第二端子接触，其连接到铁电电容器的顶部电极。
本发明授权基于铁电的晶体管在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：绝缘体上半导体衬底，其包括半导体沟道材料、位于所述半导体沟道材料下方的掩埋绝缘体层和位于半导体沟道材料下方的衬底材料；铁电电容器，其位于所述掩埋绝缘体层下方并包括底部电极、顶部电极和位于所述底部电极与所述顶部电极之间的铁电材料；栅极堆叠，其位于所述半导体沟道材料之上；附加掩埋绝缘体层，其位于所述铁电电容器下方；沟槽隔离区域，延伸到所述衬底材料中，并与所述掩埋绝缘体层和所述附加掩埋绝缘体层组合地将所述铁电电容器与所述半导体沟道材料和所述衬底材料隔离；第一端子接触，其连接到所述铁电电容器的所述底部电极；以及第二端子接触，其连接到所述铁电电容器的所述顶部电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人格芯德累斯顿第一模数有限责任及两合公司，其通讯地址为：德国德累斯顿；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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