恭喜三星电子株式会社金世润获国家专利权
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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利可变电阻存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113054099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011549731.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权可变电阻存储器件是由金世润;金真弘;水崎壮一郎;尹政昊;曹永真设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本可变电阻存储器件在说明书摘要公布了：公开可变电阻存储器件。可变电阻存储器件包括可变电阻层、第一导电元件和第二导电元件。可变电阻层包括第一层和第二层。第一层由第一材料形成。第二层在第一层上且由具有与第一材料的密度不同的密度的第二材料形成。第一导电元件和第二导电元件位于可变电阻层上并且彼此间隔开以在可变电阻层中形成电流路径。电流路径在与第一层和第二层堆叠的方向垂直的方向上。
本发明授权可变电阻存储器件在权利要求书中公布了：1.可变电阻存储器件，包括：包括第一层、第二层、和第三层的可变电阻层，所述第一层由第一材料形成，所述第二层在所述第一层上，所述第二层由第二材料形成，所述第二材料的密度高于所述第一材料的密度，所述第三层在所述第二层上，所述第三层由第三材料形成，所述第三材料的密度低于所述第二材料的密度，其中所述第一层、所述第二层和所述第三层各自的厚度等于或小于10nm；以及第一导电元件和第二导电元件，其在所述可变电阻层上并且彼此间隔开以在所述可变电阻层中在与所述第一层和所述第二层堆叠的方向垂直的方向上形成电流路径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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