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龙图腾网恭喜江苏华兴激光科技有限公司申请的专利一种DFB激光芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112382925B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011516898.X，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权一种DFB激光芯片及其制备方法是由徐鹏飞;罗帅;王岩;季海铭;王文知设计研发完成，并于2020-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DFB激光芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种DFB激光芯片及其制备方法，其不同之处在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅层；步骤3：在所述光栅层中制作折射率耦合型光栅，形成双光栅结构；步骤4：二次外延光栅覆盖层、上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和上包层中刻蚀出激光器波导结构并生长绝缘层；步骤6：刻蚀所述绝缘层形成电流注入窗口；步骤7：在p型表面沉积金属形成p面电极，n面衬底减薄后沉积金属形成n面电极，完成制备。本发明提高了DFB器件成品率。

本发明授权一种DFB激光芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种DFB激光芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：选择一n型InP衬底；步骤2：在所述衬底上依次外延生长缓冲层、下波导层、量子阱有源区、上波导层、下隔离层、腐蚀截止层、上隔离层和光栅层；所述量子阱有源区为多个量子阱结构，量子阱为压应变的阱，其中的量子垒为压应变的垒；所述腐蚀截止层的材料为InGaAsP；步骤3：在所述光栅层中制作两种不同占空比的折射率耦合型光栅，形成双光栅结构；两种光栅曝光时选择的占空比不同，得到的光栅耦合系数不同；其中的光栅刻蚀采用干法刻蚀，把曝光时控制的占空比转移到光栅层中；步骤4：二次外延光栅覆盖层、上包覆层和接触层；步骤5：在所述接触层和上包覆层中刻蚀出激光器波导结构并生长二氧化硅绝缘层，所述激光器波导结构有两个；步骤6：刻蚀所述二氧化硅绝缘层形成电流注入窗口，所述二氧化硅绝缘层在制备工艺中被刻蚀掉；步骤7：在p型表面沉积金属形成p面电极，n面衬底减薄后沉积金属形成n面电极，完成制备。

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