恭喜光量子计算公司梁勇获国家专利权
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龙图腾网恭喜光量子计算公司申请的专利在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114830332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080088210.4，技术领域涉及：H10D86/01；该发明授权在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置是由梁勇;N·库玛设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置在说明书摘要公布了：在绝缘体上半导体SOI衬底上制造电光装置。所述电光装置包含二氧化硅层和在所述二氧化硅层上的具有铁电特性的有源层。所述二氧化硅层包括所述SOI衬底的第一二氧化硅层和从所述SOI衬底的硅层转换的第二二氧化硅层。所述有源层包括在所述SOI衬底的所述硅层上外延生长的缓冲层和在所述缓冲层上外延生长的铁电层。所述电光装置进一步包含在所述有源层上方的一个或多个附加层，以及通过所述一个或多个附加层中的至少一个到所述有源层的第一接触件和第二接触件。本文还描述了制造所述电光装置的方法。
本发明授权在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置在权利要求书中公布了：1.一种制造电光装置的方法，包含：在绝缘体上硅SOI衬底上方外延生长具有铁电特性的有源层，所述SOI衬底在第一二氧化硅层上具有硅层；将所述硅层的至少第一部分转换为邻接所述第一二氧化硅层的第二二氧化硅层；在所述硅层的至少所述第一部分转换为所述第二二氧化硅层之后，在所述SOI衬底上的所述有源层上方形成一个或多个附加层，所述一个或多个附加层包括波导和包层；以及通过至少一个所述包层并且通过所述有源层中的至少一部分形成到所述有源层的至少第一接触件和第二接触件，其中所述第一接触件和所述第二接触件被配置为促进跨所述第一接触件和所述第二接触件之间的所述有源层的所述至少一部分将电场施加到所述有源层。
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