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龙图腾网恭喜美蓓亚功率半导体株式会社申请的专利半导体装置以及电力转换装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114391184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080061875.6，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体装置以及电力转换装置是由古川智康;白石正树;渡边聪;三好智之;竹内悠次郎设计研发完成，并于2020-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置以及电力转换装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种能够抑制由制造时的形状偏差、杂质偏差引起的IGBT单元间的电场偏差所导致的局部的电流电场集中、芯片终端部的电流集中的切断耐量高的半导体装置。其特征在于，具备：发射极电极，其经由层间绝缘膜形成于半导体基板的表面上；集电极，其形成于所述半导体基板的背面上；第一导电型的第一半导体层，其与所述集电极相接，形成于所述半导体基板的背面；第二导电型的第二半导体层，其形成于比所述第一半导体层更靠内侧处；中心区域单元，其沿着所述半导体基板的表面配置；外周区域单元，其在所述半导体基板的平面方向上，位于比所述中心区域单元更靠外侧处，配置在所述中心区域单元与芯片终端保护环区域之间。

本发明授权半导体装置以及电力转换装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：发射极电极，其经由层间绝缘膜形成于半导体基板的表面上；集电极，其形成于所述半导体基板的背面上；第一导电型的第一半导体层，其与所述集电极相接，形成于所述半导体基板的背面；第二导电型的第二半导体层，其形成于比所述第一半导体层更靠内侧处；中心区域单元，其沿着所述半导体基板的表面配置；外周区域单元，其在所述半导体基板的平面方向上，位于比所述中心区域单元更靠外侧处，配置在所述中心区域单元与芯片终端保护环区域之间，所述中心区域单元包含：沟槽，其形成在所述发射极电极与所述半导体基板之间；栅极电极，其经由栅极绝缘膜形成于所述沟槽的内侧，经由所述层间绝缘膜与所述发射极电极绝缘；第二导电型的第三半导体层，其形成为与所述栅极绝缘膜相接，且杂质浓度比所述半导体基板高；第一导电型的第四半导体层，其形成为经由发射极接触部与所述发射极电极的所述半导体基板侧相接，且杂质浓度比所述第一半导体层高；第一导电型的第五半导体层，其与所述栅极绝缘膜相接，且形成在所述第三半导体层的所述半导体基板侧，且杂质浓度比所述第四半导体层低；第一导电型的第六半导体层，其与所述第四半导体层的所述半导体基板侧的表面相接，且形成为从所述第五半导体层向所述半导体基板侧突出，载流子浓度比所述第四半导体层低；第二导电型的第七半导体层，其形成为与所述第六半导体层的所述集电极侧表面相接，且杂质浓度比所述半导体基板高，所述外周区域单元具有所述沟槽、所述栅极电极、所述第四半导体层、所述第五半导体层以及所述第六半导体层，并且，所述外周区域单元不具有所述第三半导体层和所述第七半导体层中的至少一方。

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