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龙图腾网恭喜住友化学株式会社申请的专利结构体的制造方法和中间结构体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113728418B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080030627.5，技术领域涉及：H01L21/306；该发明授权结构体的制造方法和中间结构体是由堀切文正;福原昇设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本结构体的制造方法和中间结构体在说明书摘要公布了：结构体的制造方法具有如下工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备：蚀刻对象物，其具有由导电性的III族氮化物构成的被蚀刻面，在被蚀刻面上配置有被蚀刻区域；导电性构件，其以与蚀刻对象物的同被蚀刻区域电连接的导电性区域的至少一部分表面接触的方式设置；以及，掩膜，其在被蚀刻面上形成，由非导电性材料构成；以及，在处理对象物浸渍于包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液中，且被蚀刻区域和导电性构件与蚀刻液接触的状态下，隔着蚀刻液对被蚀刻面照射光，由此对构成被蚀刻区域的III族氮化物进行蚀刻的工序，划定被蚀刻区域的边缘不包括导电性构件的边缘，由掩膜的边缘构成。

本发明授权结构体的制造方法和中间结构体在权利要求书中公布了：1.一种结构体的制造方法，其具有如下工序：准备处理对象物的工序，所述处理对象物具备：蚀刻对象物，其具有由导电性的III族氮化物构成的被蚀刻面，在所述被蚀刻面上配置有被蚀刻区域；导电性构件，其以与所述蚀刻对象物的同所述被蚀刻区域电连接的导电性区域的至少一部分表面接触的方式设置；以及，掩膜，其形成在所述被蚀刻面上，由非导电性材料构成；以及在所述处理对象物浸渍于包含过二硫酸根离子作为接受电子的氧化剂的碱性或酸性的蚀刻液中、且所述被蚀刻区域和所述导电性构件与所述蚀刻液接触的状态下，隔着所述蚀刻液对所述被蚀刻面照射光，由此对构成所述被蚀刻区域的所述III族氮化物进行蚀刻的工序，划定所述被蚀刻区域的边缘不包括所述导电性构件的边缘，由所述掩膜的边缘构成，其中，所述掩膜的划定所述被蚀刻区域的边缘与所述导电性构件的边缘的距离为5μm以上。

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