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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利具有自对准源区的功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110858546B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910777685.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有自对准源区的功率半导体器件是由H-J.蒂斯设计研发完成，并于2019-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有自对准源区的功率半导体器件在说明书摘要公布了：功率半导体器件具有半导体本体，半导体本体耦合到第一负载端子和第二负载端子并配置成在端子间传导负载电流，功率半导体器件还包括沿竖直方向延伸到半导体本体中的第一沟槽和第二沟槽，两个沟槽包括相应沟槽侧壁，彼此面对的沟槽侧壁沿第一横向方向横向限定台面区；相应沟槽电极；针对竖直方向从半导体本体的表面突出至少50nm的突出距离的相应沟槽部分，沟槽电极延伸到突出沟槽部分中；第一导电类型的源区和第二导电类型的本体区，两个区布置在与第一沟槽的沟槽侧壁相邻的台面区中，第一沟槽配置用于在本体区中引起反型沟道以控制台面区中的负载电流，源区与两个沟槽侧壁中的仅一个相邻布置并沿第一横向方向从两个沟槽侧壁中的另一个在空间上移位。

本发明授权具有自对准源区的功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种形成功率半导体器件1的方法2，包括：-提供具有半导体本体表面100的半导体本体10；-在半导体本体表面100上方形成20辅助层19，辅助层19耦合到半导体本体10并具有辅助层表面190；-形成21多个沟槽14、15，沟槽14、15从辅助层表面190沿竖直方向Z延伸穿过辅助层19到半导体本体10中，其中沟槽中的两个相邻沟槽14、15的彼此面对的两个沟槽侧壁144、154沿第一横向方向X横向限定半导体本体10的台面区105，其中两个相邻沟槽14、15包括针对竖直方向Z从半导体本体表面100突出至少50nm的突出距离A的相应沟槽部分149、159；-用至少一种沟槽填充材料填充22、23沟槽14、15；-平坦化至少一种沟槽填充材料以暴露辅助层19；-至少部分地移除24辅助层19，同时维持包括至少一种沟槽填充材料142、152的突出沟槽部分149、159；-使台面区105经受用于在台面区105中形成半导体分区101的注入处理步骤25，其中注入251相对于竖直方向Z倾斜至少10°的角度，并且其中相邻沟槽14、15的突出沟槽部分149、159在倾斜注入期间至少部分地用作掩模，其中，执行所述注入251使得所述半导体分区101与所述两个沟槽侧壁中的仅一个144相邻布置，并且沿所述第一横向方向X与所述两个沟槽侧壁中的另一个154在空间上移位。

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