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龙图腾网恭喜谷歌有限责任公司申请的专利具有降低的杂散电感的约瑟夫森结获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112673486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980010108.X，技术领域涉及：H10N60/12；该发明授权具有降低的杂散电感的约瑟夫森结是由B.J.伯克特;O.纳曼;A.E.梅格兰特;T.C.怀特设计研发完成，并于2019-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有降低的杂散电感的约瑟夫森结在说明书摘要公布了：用于形成具有降低的杂散电感的约瑟夫森结的方法、系统和器件。在一个方面，一种器件包括：基板；在基板上的第一超导体层；在第一超导体层上的绝缘体层；在绝缘体层上的第二超导体层，其中第一超导体层、绝缘体层和第二超导体层形成超导体隧道结；以及第三超导体层，其直接在第一超导体层的表面上并且直接在第二超导体层的表面上，以分别将第一接触提供到超导隧道结以及将第二接触提供到超导体隧道结。

本发明授权具有降低的杂散电感的约瑟夫森结在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括：提供包括第一抗蚀剂层的基板，所述第一抗蚀剂层被图案化为暴露开口区域，其中所述开口区域包括中央开口部分、第一伸长开口部分和第二伸长开口部分，所述第一伸长开口部分具有沿第一方向从所述中央开口部分的第一侧延伸的长度，所述第二伸长开口部分具有沿不同于所述第一方向的第二方向从所述中央开口部分的第二侧延伸的长度，其中所述第一伸长开口部分的宽度小于所述中央开口部分的所述第一侧的长度，并且所述第二伸长开口部分的宽度小于所述中央开口部分的所述第二侧的长度；在图案化的第一抗蚀剂层上相对于所述基板以第一非法线角度沉积第一超导体材料，以在所述开口区域的所述中央开口部分和所述第一伸长开口部分内形成第一超导体层；在所述第一超导体层的一部分上形成绝缘体层；在所述绝缘体层和所述图案化的第一抗蚀剂层上相对于所述基板以第二非法线角度沉积第二超导体材料，以在所述开口区域的所述中央开口部分和所述第二伸长开口部分内形成第二超导体层，其中在所述中央开口部分内的所述第一超导体层、所述绝缘体层和所述第二超导体层提供超导体隧道结；以及直接在所述第一超导体层的表面上以及直接在所述第二超导体层的表面上形成第三超导体层，以分别将第一接触提供到所述超导体隧道结以及将分离的第二接触提供到所述超导体隧道结。

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