恭喜英飞凌科技奥地利有限公司A.米尔钱达尼获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110246897B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910175257.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体器件是由A.米尔钱达尼;T.法伊尔;M.勒施;B.武特设计研发完成，并于2019-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：在一个实施例中，半导体器件包括具有场效应晶体管器件的半导体本体，该场效应晶体管器件具有有源区域和在所有侧面上围绕该有源区域的边缘终止区域。有源区域包括半导体本体中的第一蜿蜒的沟槽、第一蜿蜒的沟槽中的第一场板、半导体本体中的第二蜿蜒的沟槽，以及第二蜿蜒的沟槽中的第二场板。第一蜿蜒的沟槽与第二蜿蜒的沟槽分开并侧向间隔开。
本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：晶体管器件，包括：半导体本体，包括第一主表面；第一主表面中的第一沟槽，第一沟槽具有间隔开一定距离的至少两个横向部分，其中横向部分的相邻的那些通过纵向部分连接，使得第一沟槽具有曲折形式；第一主表面中的第二沟槽，第二沟槽侧向包围第一沟槽；第一主表面中的第三沟槽，其中第三沟槽在第一沟槽的两个横向部分之间从第二沟槽延伸，并且具有与连接两个横向部分的第一沟槽的纵向部分间隔开的远端；在第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽之间形成的连续台面；和在第一沟槽和第三沟槽中的每一个中的场板和栅电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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