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龙图腾网恭喜上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利等离子体发生器及等离子体去胶设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119584407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510139289.3，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权等离子体发生器及等离子体去胶设备是由涂乐义;王兆祥;梁洁;桂智谦;方子豪;徐昕;曹天俊设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本等离子体发生器及等离子体去胶设备在说明书摘要公布了：本公开涉及等离子体干法去胶技术领域，提供等离子体发生器及等离子体去胶设备，等离子体发生器包括：发生腔；等离子化部件，形成将气体等离子化为等离子体的电磁场；其中，发生腔包括：自内向外布置的第一腔壁层及第二腔壁层；第一腔壁层被实施为由耐等离子体腐蚀的陶瓷件拼接或者陶瓷涂覆构成的陶瓷层；当第一腔壁层为陶瓷件拼接构成时，厚度在1mm~10mm；当陶瓷层为时陶瓷涂覆构成时，厚度在1um~1mm之间；第二腔壁层为石英层；第二腔壁层厚度在2mm~10mm。通过设置内外腔壁，自由基很难腐蚀内侧的陶瓷层，可有效保护石英层。并且，石英外壁保证了去胶反应的高射频功率。由此确保等离子体反应腔室内壁的稳定，减少颗粒污染源，保证晶圆去胶反应的质量和速率。

本发明授权等离子体发生器及等离子体去胶设备在权利要求书中公布了：1.在一种等离子体发生器，其特征在于，包括：发生腔，具有供气体进入的进气口以及出气口；等离子化部件，设于所述发生腔外，形成将所述气体等离子化为等离子体的电磁场；所述出气口用于供所述等离子体逸出；其中，所述发生腔的腔壁包括：自内向外布置的第一腔壁层及第二腔壁层；所述第一腔壁层被实施为由耐等离子体腐蚀的陶瓷件拼接或者陶瓷涂覆构成的陶瓷层；当所述第一腔壁层为陶瓷件拼接构成时，厚度在1mm~10mm；当所述第一腔壁层为时陶瓷涂覆构成时，厚度在1um~1mm之间；以及，所述第二腔壁层被实施为石英层；所述第二腔壁层厚度在2mm~10mm；所述发生腔的腔壁还包括：第三腔壁层，与第一腔壁层邻接，被实施为由耐等离子体腐蚀的陶瓷件拼接或者陶瓷涂覆构成的陶瓷层；其中，所述第三腔壁层的耐等离子体腐蚀的性能高于所述第一腔壁层。

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