恭喜宁波大学郑燕青获国家专利权
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龙图腾网恭喜宁波大学申请的专利一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与用途获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119553367B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510112983.6，技术领域涉及：C30B29/34；该发明授权一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与用途是由郑燕青;艾蕾;潘尚可;孙志刚;姜林文;李星设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与用途在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与应用，硅酸镓铌钽钙压电晶体材料属于三方晶系，空间群为P321，化学式为Ca3Nb0.2Ta0.8Ga3Si2O14，室温下相对介电常数大于18，相对介电常数大于24.6，压电常数d11大于4.2pCN，600℃下机电耦合系数k12大于12.90%，800℃下电阻率大于2.2×107Ω·cm，使得硅酸镓铌钽钙压电晶体可以作为高温传感领域中一种具有广阔应用前景的压电晶体材料。
本发明授权一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料及其制备方法与用途在权利要求书中公布了：1.一种硅酸镓铌钽钙压电晶体材料，其特征在于，所述硅酸镓铌钽钙压电晶体的化学式为Ca3Nb0.2Ta0.8Ga3Si2O14，所述晶体属于A3BC3D2O14族、三方晶系，所述晶体的空间群为P321，所述晶体的晶胞参数a=b=8.1020Å~8.1025Å，c=4.9785Å~4.9795Å，α=β=90°，γ=120°，无相变下所述晶体具有非中心对称结构且铌和钽共同占据B格位。
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