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龙图腾网恭喜湖南大学申请的专利综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法及计算机介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119416542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510019549.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法及计算机介质是由白丹;龙柳;涂春鸣;肖凡;郭祺;韩硕;樊旺成;李文昊设计研发完成，并于2025-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法及计算机介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种综合考虑电流应力与器件损耗的SiSiC混合器件驱动电压参数设计方法，包括：确定SiCMOSFET和SiIGBT为同开同关模式；获取SiCMOSFET和SiIGBT的最大可承受脉冲电流值；进行仿真获取第一数据和第二数据；分别根据SiCMOSFET和SiIGBT的最大可承受脉冲电流值将第一数据和第二数据中电流峰值超限的数据进行剔除，得到SiCMOSFET和SiIGBT的驱动正压及驱动负压可选范围；根据SiCMOSFET和SiIGBT的驱动正压及驱动负压可选范围分别选择混合器件损耗最小的值作为SiCMOSFET和SiIGBT的驱动正压及驱动负压。

本发明授权综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法及计算机介质在权利要求书中公布了：1.一种综合考虑电流应力与器件损耗的SiSiC混合器件驱动电压参数设计方法，其特征在于，包括：确定混合器件的开关模式为SiCMOSFET和SiIGBT同开同关模式；获取SiCMOSFET和SiIGBT的最大可承受脉冲电流值，包括：获取SiCMOSFET的最大可承受脉冲电流值，包括： ，其中，表示SiCMOSFET的最大可承受脉冲电流值；表示SiCMOSFET的最大耗散功率；和分别表示开关过程中SiCMOSFET的最大允许结温和最大允许壳温；表示SiCMOSFET的漏源极电压；表示脉冲为下SiCMOSFET芯片内部的发热源到外壳之间的等效热阻；获取SiIGBT的最大可承受脉冲电流值，包括： ，其中，表示SiIGBT的最大可承受脉冲电流值；表示SiIGBT的最大耗散功率；和分别表示开关过程中SiIGBT的最大允许结温和最大允许壳温；表示SiIGBT的集射极电压；表示脉冲为下SiIGBT芯片内部的发热源到外壳之间的等效热阻；获取第一数据和第二数据；所述第一数据包括SiCMOSFET和SiIGBT分别在各自的驱动正压范围内以预设步进尺度选值进行任意组合时的SiCMOSFET开通电流峰值及混合器件的开通损耗和导通损耗；所述第二数据包括SiCMOSFET和SiIGBT分别在各自的驱动负压范围内以预设步进尺度选值进行任意组合时的SiIGBT关断电流峰值及混合器件的关断损耗；分别根据SiCMOSFET和SiIGBT的最大可承受脉冲电流值将第一数据和第二数据中电流峰值超限的数据进行剔除，得到SiCMOSFET和SiIGBT的驱动正压及驱动负压可选范围；根据所述SiCMOSFET和SiIGBT的驱动正压及驱动负压可选范围分别选择损耗最小的值作为SiCMOSFET和SiIGBT的驱动正压及驱动负压。

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