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龙图腾网恭喜广立微(上海)技术有限公司申请的专利一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364843B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920251.1，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构是由查天庸;苌文龙设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积有浅沟槽隔离介电薄膜；在所述衬底上形成有鳍部，且鳍部从所述浅沟槽隔离介电薄膜的上表面突出；在所述衬底上还沉积有栅极，栅极横跨所述鳍部；在所述栅极中形成有栅极切断结构，用于将所述栅极切断成独立的栅极段；所述栅极切断结构为倒梯形结构，且所述栅极切断结构采用氮源和硅源叠层沉积形成的叠层薄膜填充。通过优化浅沟槽隔离介电薄膜跟栅极切断结构的设计，减少MOS管中鳍部位于栅极中的上部分和位于浅沟槽隔离介电薄膜中的下部分的应力分布，以减少应力引起的上下部分间的翘曲错位。

本发明授权一种降低晶体管中鳍部错位的方法及其晶体管结构在权利要求书中公布了：1.一种降低晶体管中鳍部错位的方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上沉积有浅沟槽隔离介电薄膜；在所述衬底上形成有鳍部，且鳍部从所述浅沟槽隔离介电薄膜的上表面突出；在所述衬底上还沉积有栅极，栅极横跨所述鳍部；在所述栅极中形成有栅极切断结构，用于将所述栅极切断成独立的栅极段；所述栅极切断结构为倒梯形结构，且所述栅极切断结构采用氮源和硅源叠层沉积形成的叠层薄膜填充；其中，所述叠层薄膜，包括氮化硅和二氧化硅叠层依次叠层生长形成的薄膜；所述叠层薄膜包括NO结构薄膜、NON结构薄膜和NONO结构薄膜中的至少一种；所述NO结构薄膜是指氮化硅和二氧化硅依次叠层生长形成的薄膜；其中，所述二氧化硅的厚度占所述NO结构薄膜总厚度的比例满足5%～30%；所述NON结构薄膜是指氮化硅、二氧化硅和氮化硅依次叠层生长形成的薄膜；其中，最外层氮化硅的厚度占所述NON结构薄膜总厚度的比例满足50%～90%；中间层二氧化硅的厚度占所述NON结构薄膜总厚度的比例满足5%～30%；内层氮化硅的厚度占所述NON结构薄膜总厚度的比例满足5%～20%；所述NONO结构薄膜是指氮化硅、二氧化硅、氮化硅和二氧化硅依次叠层生长形成的薄膜；其中，最外层氮化硅的厚度占所述NONO结构薄膜总厚度的比例满足50%～80%；次外层二氧化硅的厚度占所述NONO结构薄膜总厚度的比例满足5%～20%；次内层氮化硅的厚度占所述NONO结构薄膜总厚度的比例满足5%～20%；内层二氧化硅的厚度占所述NONO结构薄膜总厚度的比例满足5%～20%。

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